GaN气相外延生长的热、动力学和机理(Ⅱ)

实验研究了GaN淀积过程的动力学,确定了获得大面积外延单晶的较好条件范围,讨论了(1102)取向衬底上GaN的生长机理。确认整个淀积过程受质量输运控制,但生长面附近并未建立起稳定的层流附面层,而是某种程度的湍流状态;表面过程是淀积反应为主导、腐蚀反应可忽略的动力学过程。基于上述,提出了一个表面反应的简单模型,解释了现有实验事实。