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GaAs,GaAlAs的光荧光研究
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摘要
发光光谱是研究半导体材料的发光效率,复合机构的一种有效手段,并且它对材料中引起发光复合的杂质和缺陷比较灵敏,对于提高发光器件和激光器的性能联系比较密切。GaAs的萤光光谱曾由许多作者研究过。
作者
徐仲英
庄蔚华
张敬明
机构地区
中国科学院半导体所
出处
《发光学报》
EI
CAS
1979年第Z1期129-136,共8页
Chinese Journal of Luminescence
关键词
GaAs
GaAlAs
费米能级
掺杂浓度
载流子浓度
载流子密度
带隙收缩
光谱半宽
价带
能带结构
重掺杂
导带
空带
跃迁
异质结构
发射峰
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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发光学报
1979年 第Z1期
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