期刊文献+

基于PN结的正向伏安特性测量玻尔兹曼常量的研究 被引量:3

Research on measuring Boltzmann constant based on ampere-volt characteristic of PN junction
下载PDF
导出
摘要 根据PN结正向伏安特性测玻尔兹曼常量的原理,在实验中使用二极管和三极管作为PN结的替代样品分别进行了测量,结果显示直接利用二极管测得的玻尔兹曼常量值比理论值偏大,这与一些文献提出的直接利用二极管测出的玻尔兹曼常量值往往偏小的观点不一致,本文从扩散电流、复合电流和表面电流的公式出发,从理论上分析并解释了玻尔兹曼常量值偏大的原因;而使用三极管构成的共基级电路,减少了复合电流和表面电流的影响,得到的玻尔兹曼常量值与理论值一致. According to the principle of measuring Boltzmann constant based on the ampere-volt characteristic of PN junction,the diode and triode are used as the substitute samples of PN junction in the experiments.The result has shown that the Boltzmann constant measured directly by the diode is larger than the theoretical value which is inconsistent with the results in some literatures.Then the reason is analyzed based on the factors of diffusion current,recombination current and surface current.The Boltzmann constant measured by using the base-level circuit composed of triode is relatively more accurate because of the influence of recombination current and surface current being reduced.
作者 祁玲敏 韩太坤 胡素梅 陈海波 贺言 QI Ling-min;HAN Tai-kun;HU Su-mei;CHEN Hai-bo;HE Yan(Physics Experiment Teaching Center,School of Science,Guangdong University of Petrochemical Technology,Maoming,Guangdong 525000,China)
出处 《大学物理》 2019年第8期39-41,58,共4页 College Physics
基金 国家自然科学基金(11504059) 广东省自然科学基金(2018A030307028,2017A030307004) 茂名市科技计划项目(2018007) 广东石油化工学院科研基金项目人才引进类(2018rc46)资助
关键词 PN结 玻尔兹曼常量 二极管 三极管 PN junction Boltzmann constant diode triode
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献15

  • 1肖天庆,刘亚楠.半导体PN结与晶体管中载流子运动形式的讨论[J].西北师范大学学报(自然科学版),1994,30(3):43-46. 被引量:1
  • 2李明标,董海宽,刘长江,李波欣.波尔兹曼常数测量及实验数据处理[J].渤海大学学报(自然科学版),2005,26(2):163-164. 被引量:5
  • 3[2]王光兴等.计算机基础知识及应用[M].沈阳:辽宁大学出版社,2001,143.
  • 4NEAMEN D A.半导体物理与器件[M].赵毅强,译.3版.北京:电子工业出版社,2005.
  • 5康华光.电子技术基础.北京:高等教育出版社,2003
  • 6杨述武,马葭生,贾玉民,等.普通物理实验[M].北京:高等教育出版社,2004.
  • 7王吉有,王炳章.PN结反向饱和电流的测量[A].第6届全国高等学校物理实验教学研讨会论文集(下)[C].2010:34-36.
  • 8刘家斌,王雨生,张晓燕.利用PN结伏安特性测定玻尔兹曼常数[J].青岛农业大学学报(自然科学版),2007,24(4):317-319. 被引量:7
  • 9Donald A. Neamen. Semiconductor Physics and Devices [ M ]. Fourth Edition. Beijing: Publishing House of Elec- tronics Industry, 2011.
  • 10S.M. Sze, Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices [M]. 3th ed. Hoboken, New Jersey: John Wiley & Sons, 2007.

共引文献22

同被引文献25

引证文献3

二级引证文献5

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部