远场脉冲涡流探头特性研究

在脉冲涡流检测和远场脉冲涡流检测的基础上研究平板导体试块上的远场效应,利用远场脉冲信号作为激励来检测缺陷探究其远场特性。首先比较近场区与远场区在缺陷的波形变化,找到最佳远场区是激励线圈与检测线圈距离10 mm位置、过渡区是激励线圈与检测线圈距离7 mm位置;得出在近场区没有二次回波,在过渡区与远场区都有二次回波。并在远场区探头对铝合金试块的12个缺陷进行探伤,选择感应电压的波峰、二次波波峰及过零时间为特征参数,分析了检测信号与缺陷的关系。实验结果表明:在远场区,缺陷深度、半径与二次回波成一定的线性关系,半径越大峰值越小,深度越大,峰值越小。比较在缺陷的正面与反面检测时得出,在缺陷的正面检测时二次回波的峰值比反面检测的要大。