Ⅱ-Ⅵ推出首款用于5G天线RF功率放大器的200mm半绝缘SiC衬底

美国宾夕法尼亚州萨克森堡的工程材料和光电组件制造商Ⅱ-Ⅵ公司提供了用于电力电子设备的碳化硅(SiC)衬底,该公司介绍了它所说的第一款用于射频功率的200mm直径半绝缘碳化硅衬底原型。5G无线基站天线和其他高性能RF应用中的放大器。预计5G无线技术的部署将在全球范围内加速发展,从而推动对RF功率放大器的需求,这些功率放大器可以在新的高频频段高效运行,并在可以扩展以满足需求的技术平台上进行制造。与基于硅的器件相比,碳化硅氮化镓(GaN-on-SiC)RF功率放大器在千兆赫兹范围内(包括毫米波段)的5G工作频率范围内具有出色的性能。Ⅱ-Ⅵ的原型200mm半绝缘SiC衬底旨在使目前在100mm和150mm衬底上生产的GaN-on-SiC RF功率放大器达到更高的制造规模。宽带隙副总裁Gary Ruland博士说:“Ⅱ-Ⅵ将在2015年推出全球首个用于电力电子的200mm导电SiC衬底之后,推出全球首个200mm半绝缘SiC衬底,这是我们发展到300mm的两个里程碑。”半导体业务部门。