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Plessey生产创纪录的2.5μm像素间距4Megapixel GaN-on-Si微型LED显示屏

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摘要 总部位于英国的Plessey公司开发用于增强现实和混合现实(AR/MR)显示应用的嵌入式微LED技术,利用其在硅上的专有氮化镓(GaN-on-Si)技术,创造了2.5μm像素间距微LED显示屏的记录。超精细,超高分辨率2000×2000像素显示器采用微型LED,这项技术在下一代可穿戴设备,AR/VR硬件和平视显示器(HUD)的开发中发挥着关键作用。它们需要大约20%的典型LCOS(硅上液晶)或DLP(数字光处理)显示器的功率,并且可以实现比有机发光二极管(OLED)亮5倍的图像,从而有利于舒适的户外观看。
出处 《半导体信息》 2019年第5期14-15,共2页 Semiconductor Information
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