摘要
南京电子器件研究所提出并研发了一种"金属源气流调制生长"的外延方法,在采用MOCVD系统外延生长Mg掺杂的p型AlGaN材料时,引入"晶体质量提升"和"激活效率提升"两种不同的生长,两种工艺在外延过程中交替进行,既能保证晶体质量,又能提升受主杂质Mg的激活效率。
作者
罗伟科
李忠辉
孔岑
杨乾坤
杨峰
LUO Weike;LI Zhonghui;KONG Cen;YANG Qiankun;YANG Feng(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第5期F0003-F0003,共1页
Research & Progress of SSE
