单层MoS2的研究概述

单层的MoS2作为一种新型半导体材料,在场效应晶体管、光发射二极管、光伏器件和光催化等领域具有极大的潜在应用价值。本文对单层的MoS2的制备、应用及理论研究进行简单的概述。单层Mo S2是一种新型的半导体材料,它的直接带隙禁带宽度为1.8eV,所以它克服了石墨烯零带隙的缺点,同样拥有石墨烯的很多优点。因为单层MoS2独特的微观结构和物理、化学性质,使得它在场效应晶体管、光发射二极管、光伏器件和光催化等领域具有极大的潜在应用价值。