摘要
11月7日,氮化傢(GaN)射频及功率器件产业化项目正式签约落户嘉兴科技城。该项目将新建大型规模化的GaN射频器件与功率器件生产基地,总投资25亿元,占地110亩。项目全部达产后可实现年销售30亿元以上,年税收7000万元以上。GaN属于第三代高大禁带宽度的半导体材料,和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比,具有高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性,能够广泛运用于5G通讯基站、智能移动终端、物联网、军工航天、数据中心、通信设备、智能电网及太阳能逆变器等领域。
出处
《半导体信息》
2019年第6期30-30,共1页
Semiconductor Information
