一种新型的大功率半绝缘GaAs光导开关试验研究

本文设计了一种低欧姆接触电阻率的半绝缘GaAs光导开关,开关由0.6mm厚的半绝缘GaAs材料制作,电极间隙为lOnun,开关电极面制作高反膜,背面制作增透膜,使用波长1064nm、能量5.4mJ、触发激光脉宽25ns的激光脉冲触发光导开关,在直流电压6kV时,通过计算得到光导开关的导通电阻仅为0.61Ω.为了增大单只光导开关导通电流,设计了一种叉指状电极结构的光导开关,指状电极间隙2mm,在工作电压2kV时,导通电阻为0.35 Ω。