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存储器技术的新进展 被引量:2

New Development of Memory Devices
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摘要 描述集成电路国际主流技术的发展方向,分析集成电路先进技术的发展趋势。包括NAND型存储器和新原理存储技术(磁阻存储技术MRAM、阻变存储技术RRAM)的阐述。 This paper describes the development direction of the international mainstream technology of integrated circuit, and analyzes the development trend of the advanced technology of integrated circuit. It includes NAND memory and new principle memory technology(MRAM and RRAM).
作者 张卫 ZHANG Wei(School of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 20120,China.)
出处 《集成电路应用》 2020年第3期10-12,共3页 Application of IC
基金 上海经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项资金(1800505)
关键词 集成电路 半导体 存储器件 integrated circuit semiconductor memory device
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