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80亿美元三星电子闪存芯片项目二期第二阶段投资额近日,三星电子正式启动了芯片项目二期第二阶段约80亿美元投资,以提高NAND闪存芯片的产量。据悉,三星电子一期投资额为108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目与封装测试项目;二期项目总投资额为150亿美元,主要制造闪存芯片。其中,二期项目第一阶段投资约为70亿美元,将于2020年3月竣工投产;第二阶段投资约为80亿美元,将于2021年下半年竣工。