Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET大幅提高功率密度

日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新型-30Vp沟道TrenchFET■第四代功率MOSFET—SiSS05DN,器件采用热增强型3.3mm×3.3mm PowerPAK■1212-8S封装,10V条件下导通电阻达到业内最低的3.5mW。于此同时,导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET在开关应用的重要优值系数(FOM)为172mW*nC,达到同类产品最佳水平。