氮化镓市场空间持续拓展

GaN(氮化镓)属于第三代半导体材料(又称为宽禁带半导体材料)。GaN的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si和GaAs,具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。