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存储Flash闪存被异常改写的原因以及系统写保护方案探究
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摘要
Flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。在嵌入式设别常用的为Nand Flash和Nor Flash,本文中,作者结合自己在嵌入式产品项目的实际开发经验,主要探究下Nand Flash被异常改写的原因以及系统写保护方案的实现方法。
作者
孙立斌
机构地区
北京四达时代软件技术股份有限公司
出处
《中国新通信》
2020年第4期114-114,共1页
China New Telecommunications
关键词
FLASH闪存
异常改写
探究
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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