AlGaN/GaN HEMT器件制备工艺流程介绍

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摘要 AlGaN/GaN HEMT器件制造主要分为AlGaN/GaN异质结材料的生长和HEMT器件制备两个主要部分,材料生长的好坏和器件制作工艺都将对器件的性能产生深远影响,本文主要对AlGaN/GaN材料的生长和HEMT器件制备的工艺流程进行介绍。

作者李泽政高靖雯江浩陈冲

机构地区吉林建筑大学

出处《经济技术协作信息》 2020年第10期81-81,共1页

基金吉林建筑大学大学生创新创业项目《不同剂量氟处理对GaN基器件横向电场分布影响研究》资助。

关键词 ALGAN/GAN HEMT器件器件制作材料生长器件的性能制备工艺流程

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经济技术协作信息

2020年第10期

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