集成双波导量子阱结构半导体光放大器的能带结构研究

运用k·p法分析了半导体的能带结构。基于Luttinger-Kohn模型,对量子阱结构半导体的能带结构进行了求解;而且对考虑价带混合效应的应变量子阱的能带结构进行了数值分析。基于集成双波导半导体光放大器的光开关矩阵在全光包交换、全光波长转换方面具有明显的优势,而集成双波导半导体光放大器的光增益特性又是其光开关矩阵最主要的特性之一,因此研究其增益特性意义重大。该集成光放大器所用的半导体材料可分为体和量子阱结构半导体。