一种低相噪X波段振荡器设计

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摘要 SiGe HBT晶体管具有优异的高频噪声特性,根据负阻振荡理论并且采用单电源供电方式设计了一款X波段振荡器。利用微波有源器件的小信号S参数模型进行仿真设计。测试表明,振荡器的中心频率为8.38GHz,输出功率为6dBm,偏离振荡频率100kHz和1MHz处的相位噪声分别为-112dBc/Hz和-126.7dBc/Hz,可以满足实际应用。整体电路结构简单,易于加工制作。

作者张朋奇

机构地区中国空空导弹研究院

出处《电子世界》 2020年第8期132-133,136,共3页 Electronics World

关键词单电源供电振荡器相位噪声有源器件 X波段整体电路 S参数低相噪

分类号 TN7 [电子电信—电路与系统]

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