重复经颅磁刺激对脑卒中后工作记忆障碍的影响

目的:观察重复经颅磁刺激(rTMS)对脑卒中后工作记忆(WM)障碍的影响。方法:脑卒中后WM障碍患者60例,随机分为观察组和对照组各30例。2组均予常规康复治疗,观察组另予rTMS治疗,2组患者治疗前后分别进行数字顺背/倒背、n-back测试及MRS代谢物测定。结果:治疗前观察组与对照组的数字正背/倒背、n-back及MRS检测神经代谢物的差异无统计学意义(P>0.05)。治疗后,对照组除数字正背成绩外,数字倒背、1-back、2-back及NAA/Cr、Cho/Cr结果较治疗前差异无统计学意义(P>0.05);观察组的数字正背、数字倒背、1-back、2-back测试成绩分别为6(5,6)、4(3,4)、18(17,19)、16(16,18)分,治疗前后差异均有统计学意义(P<0.05);观察组的NAA/Cr结果为1.40(1.28,1.49),较治疗前差异具有统计学意义(P<0.05),Cho/Cr结果为1.34(1.28,1.37),较治疗前差异无统计学意义(P>0.05);观察组的数字倒背、1-back、2-back测试成绩及NAA/Cr与对照组相比,差异有统计学意义(P<0.05),2组的数字正背及Cho/Cr差异无统计学意义(P>0.05)。结论:rTMS可改善脑卒中后WM功能。