应用于AMOLED薄膜封装的高应力氮化硅工艺探讨

研究了AMOLED柔性薄膜封装PECVD系统中射频功率和反应压力对氮化硅薄膜应力的影响,结果表明,射频功率的改变影响离子对衬底的轰击效应,反应压力的改变影响气体分子的平均自由程。增大射频功率和降低反应压力,膜层压应力均相应变大。此外,通过调节反应气体中的氮气流量,可以使反应气体分解的更完全、促使反应前驱物迁移到基板合理位置,改善膜层结构从而提高膜层均匀性及光学特性。