国内氧化铟锡靶材厂商的机遇与挑战被引量：1

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摘要氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)靶材,是一种N型半导体材料。利用铟掺锡和形成氧空位,形成1020~1021/cm3的载流子浓度和10~30(cm3/vs)的迁移率,这个机理提供了在10-4(Ω·cm)数量级的低薄膜电阻率,所以ITO薄膜具有半导体的导电性能[1]。借助其优异的透明导电性能、透明性及良好的加工性能,ITO导电膜得到高速发展和广泛的应用。

作者杨扬王振华谢梦

机构地区株洲冶炼集团股份有限公司

出处《新材料产业》 2020年第2期54-57,共4页 Advanced Materials Industry

关键词载流子浓度氧化铟锡 ITO薄膜迁移率氧空位低电阻率半导体透明性

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学] TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程] F426.7 [经济管理—产业经济]

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