期刊文献+

相变材料Ge2Sb2Te5的性质及其面向新型数据存储的应用(续)

Properties of Phase Change Material Ge2Sb2Te5 and Its Application for Novel Data Storage(Continued)
下载PDF
导出
摘要 3相变材料GST的介电性质及其应用GST的介电性质主要体现在其对光的调控作用,在GST相变过程中伴随的折射率变化可以使其应用于光学存储。不仅是多媒体光盘,GST材料与波导材料结合还可以形成非易失性的光子存储单元。3.1相变材料GST介电性质的机理以正、负电荷中心不重合的电极化方式来传递或记录(存储)电场的作用和影响是材料介电性质的体现。对于应用于光学存储的GST来说,其相变过程中的性质状态,尤其是介电性质会对存储性能产生重要的影响。
作者 杨冲 韩伟华 陈俊东 张晓迪 郭仰岩 杨富华 Yang Chong;Han Weihua;Chen Jundong;Zhang Xiaodi;Guo Yangyan;Yang Fuhua(Engineering Research Center of Semiconductor Integrated Technology,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China)
出处 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第6期421-429,共9页 Micronanoelectronic Technology
基金 国家重点研发计划资助项目(2016YFA0200503)。
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献15

共引文献20

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部