一次导体结构对SF6倒立式电流互感器损耗发热的影响

为了设计SF6倒立式电流互感器(LVQB),必须精确地确定一次导体的载流容量满足最高温升的要求。温升是由于载流导体中的焦耳损耗和壳体中的感应涡流引起的。以LVQB-500产品为例,建立其损耗发热的电磁场-流场-温度场求解模型。计算结果表明,一次导体结构对产品温升影响显著,尤其是接触电阻。最后进行了温升试验,仿真与试验的最大误差为3.61 K,验证了仿真方法的正确性,可以为LVQB散热结构设计及过热分析提供指导。