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超结结构的功率MOSFET输出电容特性
被引量:
3
The characteristic of super junction power MOSFET output capacitance
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摘要
本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态,探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中,耗尽层形态和输出电容变化的关系,最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸,更低输出电容转折点电压,降低开关损耗,同时产生非常大的du/dt和di/dt,对系统EMI产生影响。
作者
刘业瑞
刘松
机构地区
四川大学计算机学院
万国半导体元件(深圳)有限公司应用中心
出处
《电子产品世界》
2020年第8期82-84,共3页
Electronic Engineering & Product World
关键词
功率MOSFET
超结结构
输出电容
横向电场
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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