新型GaN/Ga2O3 HEMT以及Ga2O3/GaN异质结构的外延生长

导出

摘要来自德国和意大利的研究人员一直在探索在蓝宝石衬底上生长ε-多型氧化镓(ε-Ga2O3)和氮化镓(GaN)集合的外延生长方法,以期将其应用在高电子迁移率晶体管(HEMT)中(Stefano Leone等人,Journal of Crystal Growth,vol534,p125511,2020)。

出处《半导体信息》 2020年第3期14-16,共3页 Semiconductor Information

关键词 GA2O3 外延生长异质结构氧化镓 GAN HEMT 蓝宝石衬底 Crystal

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1张锦涛,赵少云,韦文生,郑君鼎,何明昌.正向偏置(p)SiC/(n)GaN异质结构稳态导电特性的模拟[J].温州大学学报（自然科学版）,2019,40(4):36-46.
2肖雪红,徐凯,潘哲.二十六面体氧化亚铜-金异质结构型催化剂的制备及其催化降解性能研究[J].化学与粘合,2020,42(4):245-248.
3Jinbiao Yang,Tiesen Li,Xiaojun Bao,Yuanyuan Yue,Haiyan Liu.Mesoporogen-free synthesis of hierarchical sodalite as a solid base catalyst from sub-molten salt-activated aluminosilicate[J].Particuology,2020,18(1):48-54. 被引量：2
4张丰,BAI Yin,CAI Yuebo,CHEN Bo,NING Fengwei.Effect of Triisopropanolamine on the Compressive Strength and Early Hydration of Cement at Low Temperature[J].Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science),2020,35(3):611-619. 被引量：1

半导体信息

2020年第3期

浏览历史

内容加载中请稍等...

新型GaN/Ga2O3 HEMT以及Ga2O3/GaN异质结构的外延生长

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史