一种基于SiGe BiCMOS工艺的X波段4×4片上Butler矩阵设计

本设计基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款X波段Butler矩阵芯片。芯片由90°耦合器、移相器、交叉耦合器组成。详细分析了芯片中个单元电路设计及可能存在的问题。测试结果表明,在9.5-10.5 GHz的设计频段内,可同时输出4个波束,插入损耗小于2.5dB。