期刊文献+

Lu掺杂Bi_2Te_3基热电材料的制备及其热导率研究 被引量:4

下载PDF
导出
摘要 Bi2Te3基材料是目前已知的室温附近性能最好的热电材料。但是其热电优值ZT仅趋近于1,对应热电转换效率不足10%,与实际应用的需求相差较远。本文以p型赝三元Bi2Te3基热电材料为研究对象,采用机械合金化方法制备Lu掺杂Bi2Te3基合金粉末,在不同热压温度下制得Bi2Te3基块体样品,意图通过掺杂稀土元素的方式来提高材料的热电性能。对合金化粉体样品进行了XRD物相表征,通过对比烧结前后合金化粉体的XRD衍射图谱,讨论样品的微观结构变化,并进一步验证采用机械合金化方法制备Lu掺杂Bi2Te3基热电材料的可行性。测量了合金化块体样品的导热系数,发现Lu元素掺杂使Bi2Te3基热电材料的导热系数显著降低,最低达到0.1938W/(m·K),有望通过降低导热系数的方式使Bi2Te3基材料的热电性能得到大幅度提高。
出处 《科学技术创新》 2020年第26期35-36,共2页 Scientific and Technological Innovation
基金 项目支持:大学生创新训练计划项目,项目号:201810225097。
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献73

  • 1吕强,胡建民,信江波,荣剑英.N型赝三元热压热电材料的微观结构和电学性能[J].人工晶体学报,2004,33(5):788-791. 被引量:6
  • 2高敏 张景韶 Rowe D W.温差电转换及其应用[M].北京:兵器工业出版社,1996.253.
  • 3SJ2857-88.国家电子工业部标准[S].[S].,..
  • 4Prieto A L, Sander M S, Martin-Gonzalez M S, et al.Electrodeposition of ordered Bi2Te3 nano-wire arrays. J Am Chem Soc, 2001,123:7160-7161.
  • 5Zou H, Rowe D M, Min G. Growth of p -type and n-type bismuth telluride thin films by co-evaporation. Journal of Crystal Growth, 2001, 222:82-87.
  • 6Hillhouse H W, Tuominen M T. Modeling the thermoelectric transport of nanowires embed-ded in oriented microporous and mesoporous films. Microporous and Mesoporous Materials,2001, 47:39-50.
  • 7Damodara D V, Selvaraj S. Structural and electrial properties of Bi2(Te0.4Sb0.6)3 thin films. Materials Chemistry and Physics,2000, 62:68-74.
  • 8Damodara D V, Mallik R C. Study of scattering of charge carriers in thin films of(Bio.25Sbo.75) 2Te3 alloy with 2% excess Te. Materials Research Bulletin, 2002,37:1961-1971.
  • 9Zhang H T, Luo X G, Wang C H, et al. Characterization of nanocrystalline bismuth telluride synthesized by a hydrothermal method. Journal of Crystal Growth, 2004, 265:558-562.
  • 10Giani A, Boulouz A, Pascal-Delannoy F, et al. MOCVD growth of Bi2Te3 layers using diethyl-tellurium as a precursor. Thin Solid Films, 1998,315:99-103.

共引文献40

同被引文献16

引证文献4

二级引证文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部