摘要
存储器是集成电路最重要的技术之一,是国家核心竞争力的重要体现。相变存储器(PCRAM)基于相变材料在非晶态和晶态之间的快速可逆转变实现信息存储,具有非易失性、高速、低功耗、长寿命、可三维集成以及与新型互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容等优点。国家重点研发计划“纳米科技”重点专项“高密度交叉阵列结构的新型存储器件与集成”项目(项目编号:2017YFA0206100).
出处
《科技成果管理与研究》
2020年第8期F0002-F0002,I0001,共2页
Management And Research On Scientific & Technological Achievements
