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高功率密度机载甚低频发射机技术研究
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摘要
本文研究高功率密度机载甚低频发射机的关键技术,包括机载高功率密度低谐波可调直流电源研究、高效大容量功率桥研究等。
作者
陆艳艳
机构地区
中国长城科技集团有限公司
出处
《中国新通信》
2020年第15期53-54,共2页
China New Telecommunications
关键词
高功率密度
机载
低谐波
分类号
TN838 [电子电信—信息与通信工程]
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.中国电子科学研究院学报,2009,4(2):111-118.
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田爱华,赵彤,潘宏菽,陈昊,李亮,霍玉柱.
n型4H-SiC同质外延层上欧姆接触的研究[J]
.半导体技术,2007,32(10):867-870.
被引量:3
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李亮,潘宏菽,默江辉,陈昊,冯震,杨克武,蔡树军.
S波段系列SiC MESFET器件研制[J]
.微纳电子技术,2008,45(6):322-325.
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芦伟立,李佳,崔波,冯志红.
SiC同质外延材料表面形貌缺陷研究[J]
.中国标准化,2019(S01):50-53.
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钱卫宁.
生长前预刻蚀对4H-SiC衬底表面形貌的影响[J]
.新型工业化,2022,12(10):223-226.
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张波,邓小川,陈万军,李肇基.
宽禁带功率半导体器件技术[J]
.电子科技大学学报,2009,38(5):618-623.
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张波,陈万军,邓小川,汪志刚,李肇基.
氮化镓功率半导体器件技术[J]
.固体电子学研究与进展,2010,30(1):1-10.
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封先锋,陈治明,蒲红斌.
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.现代电子技术,2010,33(13):45-47.
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封先锋,陈治明,蒲红斌.
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.人工晶体学报,2010,39(5):1124-1129.
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姚贤旺,苑伟政,乔大勇,臧博.
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.传感技术学报,2010,23(10):1403-1407.
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中国新通信
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