摘要
Vishay推出新款30Vn沟道MOSFET半桥功率级模块——SiZF300DT,将高边TrenchFET和低边SkyFET MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR 3.3mm×3.3mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量,简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。通道1 MOSFET在10V和4.5V条件下,最大导通电阻分别为4.5mΩ和7.0mΩ。通道2MOSFET在10V和4.5V条件下,导通电阻分别为1.84mΩ和2.57mΩ。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9nC和19.4nC。
出处
《半导体信息》
2020年第4期13-13,共1页
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