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基于GaN技术的大功率T/R组件可靠性设计与分析 被引量:3

Reliable Design and Analysis of High Power T/R Module Based on GaN Technology
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摘要 结合T/R组件的工作原理,对影响大功率T/R组件可靠性的关键技术进行了设计与分析。通过与现有的基于GaAs技术的T/R组件设计电路对比分析,阐述了基于Ga N技术的大功率、高可靠性T/R组件的电路设计方法。 Combined with the working principle of T/R module,the key technologies affecting the reliability of high-power T/R module were designed and analyzed.Compared with the existing T/R module design circuit based on GaAs technology,the circuit design method of high power and high reliability T/R module based on GaN technology was described.
作者 彭祥飞 江浩 邓林 PENG Xiang-fei;JIANG Hao;DENG Lin(No.29 Research Institute of CETC,Chengdu 610036,China)
出处 《装备环境工程》 CAS 2020年第12期115-118,共4页 Equipment Environmental Engineering
基金 国防科工局技术基础科研项目(JSZL2016210B001)。
关键词 T/R组件 GaN芯片 高可靠性 电路设计 热设计 T/R module GaN MMIC high reliability circuit design thermal design
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参考文献15

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共引文献101

同被引文献30

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