负电容场效应晶体管研究进展

在传统场效应晶体管的发展中,由于亚阈值摆幅(SS)极限的存在(60 mV/dec),在超大规模集成电路(ULSI)中,电源电压的缩放受到物理障碍的限制,如何降低电路的功耗成为很多人研究的重点。为了解决这些问题,提出了铁电负电容场效应晶体管(Fe-NCFET),通过内部电压放大机制来降低SS,从而有效地降低了ULSI的供电电压,显著降低了功耗。本文介绍了负电容效应的研究背景和意义,对NCFET的物理模型和仿真方法进行了讨论。