专利名称:一种降低二硫化钼基催化析氢电极电荷转移阻抗的方法

专利申请号:CN201811060352公开号:CN109112565A申请日:2018.09.12公开日:2019.01.01申请人:电子科技大学本发明属于催化析氢技术领域,具体涉及一种降低二硫化钼基催化析氢电极电荷转移阻抗的方法。针对现有的二硫化钼纳米薄片间及其与底部电极之间载流子传输效率低、半导体2H相二硫化钼催化析氢活性低的问题,本发明的技术核心包括如下内容:(1)掺入聚乙烯吡咯烷酮,使二硫化钼产生由半导体2H相到金属1T相的转变;(2)均匀引入还原氧化石墨烯形成三维导电网络,改善二硫化钼片层间及与底部电极的电接触;(3)铜薄膜电极作为导电基底,其与催化活性功能层有优良电接触,可有效提升电荷转移效率。