摘要
日本东京工业大学和NTT公司开发出基于CMOS的高频收发器据Tech Xplore网2021年2月5日消息,日本东京工业大学和NTT公司开发出基于互补金属氧化物半导体(CMOS)的高频收发器,适用于300GHz以上的5G应用。现有300GHz CMOS发射器解决方案使用单个辐射元件,这限制了天线增益和系统的输出功率。新设备在相控阵配置中使用4个天线,并能调整天线信号的相对相位,使其具备超强的波束成形能力,可以创建具有自定义方向性的组合辐射图。
出处
《科技中国》
2021年第3期105-108,共4页
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