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2021年的GaN

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摘要 尽管20年前GaN晶体管以前处于大学研究项目阶段,但现在这些器件已在整个行业广泛采用,尤其是在2020年。由于GaN晶体管具有极高的电子迁移率,所以替代硅基FET只是时间问题。与基于硅的晶体管相比,这也使GaN具有较小的导通电阻和更快的开关速度。GaN晶体管的驱动方式与传统MOSFET相同,这使得它们很容易集成到现有设计中。所以GaN在市场上很受追捧,电源、音频放大器、数据中心和实现GaN的汽车系统比以往任何时候都要多。
出处 《半导体信息》 2021年第1期9-13,共5页 Semiconductor Information
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