硅的8倍利用蓝宝石生长氧化镓制备出超宽禁带半导体

1月8日的科学进展(ScienceAdvances)期刊发布了康奈尔大学的一项合作发现,利用蓝宝石生长氧化镓,生成铝镓氧化物超宽禁带半导体,其带隙扩展到几乎是硅的8倍。这篇论文是美国空军研究实验室康奈尔外延解决方案中心(ACCESS)实验室的最新发现,该实验室于2018年启动,旨在探索氧化镓在下一代电子产品中的潜在用途。