掺杂对ZnO薄膜光学性能影响的研究现状

自1990年代以来,出现了以GaN,ZnO和SiC为代表的新一代宽带隙半导体材料。这些材料在紫外光电探测器,大功率器件,短波长发光二极管和大功率激光器中具有优异的性能,具有良好的发展前景。ZnO具有紫外线激发发射的性质,使其很快成为继GaN之后具有更好性能的半导体材料。ZnO是具有纤锌矿结构的宽带隙直接带隙半导体材料。