高效率N型离子注入太阳电池技术的研究

离子注入技术已经成功的从IC(集成电路)制造中延伸到了太阳能池的制造过程中,并且成为N型单晶太阳能池的研究热点。我们在电阻率为1-3Ω.cm的N型硅片基底上,采用离子注入技术工业化生产的太阳能电池的最高效率达到12.2%,平均转化效率为20.9%。我们还进行了离子注入掺杂技术对方块电阻的掺杂曲线、均匀性、及电池参数的影响研究。