期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

非晶硅薄膜太阳能电池分析与研究 被引量：2

Analysis and Research of Amorphous Silicon Thin Film Solar Cells
下载PDF
导出
摘要 介绍了非晶硅薄膜太阳能电池的基本特点和光学特性;重点分析了非晶硅薄膜材料的制备方法,最后对非晶硅薄膜太阳能电池组件制备工艺进行了阐述。 The basic characteristics and optical properties of amorphous silicon thin film solar cells are introduced.The preparation methods of amorphous silicon thin film materials are mainly analyzed.Finally,the preparation process of amorphous silicon thin film solar cells is described.
作者 张仁霖 Zhang Renlin(Anhui Vocational College of Electronic&Information Technology,Bengbu 233000,China)
机构地区 安徽电子信息职业技术学院
出处 《安徽电子信息职业技术学院学报》 2021年第2期27-30,共4页 Journal of Anhui Vocational College of Electronics & Information Technology
关键词 非晶硅薄膜电池 光学特性 吸收区 制备方法 amorphous silicon thin film battery optical properties absorption region preparation method
分类号 TK51 [动力工程及工程热物理—热能工程]
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献60

  • 1沈峰,夏冬林,李蔚,赵修建.沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响[J].武汉理工大学学报,2007,29(E01):172-175. 被引量：3
  • 2Meier J, Fluckigeret R, Keppner H et al. Complete microcrystalline p-i-n solar cell-Crystalline or amorphous cell behavior [J]. Appl Phys Lett, 1994, 65(7): 860.
  • 3Shah A, Torres P, Tschamer R, et al. Photovoltaic technololgy: the case for thin-film solar cells [J]. Science, 1999, 285: 692.
  • 4He S S, Williams M J, Stephens D J, et al. Fabrication and performance of thin film transistors, TFTs,incorporating doped μc-Si source and drain contacts,and boron-compensated μc-Si channel layers [J]. J Non-Cryst Solids, 1993, (164-166): 731.
  • 5Stiebig H, Hapke Knipp P, et al. Fast three color piiin-detector using microcrystalline silicon [J ]. J NonCryst Solids, 1998, 227-230: 1330.
  • 6Shibata N, Fukuda K, Ohtoshi H, et al. Preparation of polycrystalline silicon by hydrogen-radical-enhanced chemical vapor deposition [ J ]. Jpn J Appl Phys,1987, 26: L10.
  • 7Matsumura H. Study on catalytic chemical vapor deposition method to prepare hydrogenated amorphous silicon [J]. J Appl Phys 1989, 65(11): 4396.
  • 8Luysberg M, Hapke P, Carius R, et al. Structure and growth of hydrogenated microcrystalline silicon: investigation by transmission dectron microscopy and Raman spectroscopy of films grown at different plasma excitation frequencies [J]. Phil Mag A, 1997, 7
  • 9Goerlitzer M, Torres P, Beck N, et al. Structural properties and electronic transport in intrinsic microcrystalline silicon deposited by the VHF-GD technique [J]. J ofNon-Cryst Solids, 1998, 227-230: 996.
  • 10Shah A, Vallat-Sauvain E, Torres P, et al. Intrinsic microcrystalline silicon ( (c-Si: H) deposited by VHFGD (very high frequency-glow discharge): a new material for photovoltaics and optoelectronics [J ]. Mat.Sci & Eng, 2000, B69-70: 219.

共引文献41

同被引文献20

引证文献2

二级引证文献1

安徽电子信息职业技术学院学报
2021年 第2期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部