不同剂量F等离子体对GaN基器件横向电场分布的影响

随着科学技术的高速进步,以GaN为代表的第三代半导体材料凭借其高禁带宽度、高电子饱和速度、良好的工作稳定性等优点,在高温大功率、微波器件领域拥有越来越重要的地位.目前,由于F等离子体注入技术对提升AlGaN/GaN HEMT能够产生明显影响,因此,本文针对不同剂量氟等离子体处理对AlGaN/GaN器件的栅下横向电场分布进行了仿真模拟。