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LDD结构GaN HEMT转移特性分析
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摘要
LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体GaN材料的不断发展,目前,LDD结构也用于GaN HEMT中,LDD结构GaN HEMT称为轻掺杂漏高电子迁移率器件。LDD结构GaN HEMT的实现主要依赖F等离子体注入技术的应用。
作者
李可欣
陈冲
侯佳琳
周杨鹏
于和辰
机构地区
吉林建筑大学
出处
《经济技术协作信息》
2021年第15期127-127,共1页
基金
吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。
关键词
LDD结构
MOSFET器件
击穿电压
GAN材料
HEMT
高电子迁移率器件
轻掺杂漏
转移特性
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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