LDD结构GaN HEMT转移特性分析

LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体GaN材料的不断发展,目前,LDD结构也用于GaN HEMT中,LDD结构GaN HEMT称为轻掺杂漏高电子迁移率器件。LDD结构GaN HEMT的实现主要依赖F等离子体注入技术的应用。