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一种嵌入铁电晶体管内容寻址存储器的高能效浮点运算结构 被引量:2

An Energy Efficient Floating Point Computing Infrastructure Embedding Ferroelectric Field Effect Transistor Based Ternary Content Addressable Memories
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摘要 随着数据密集型应用的日益增多,内存墙问题已成为制约计算效率的瓶颈。该文提出一种新型的浮点数(FP)运算结构,该结构嵌入了基于铁电场效应晶体管(FeFET)的三元内容寻址存储器(TCAM)以实现高效的计算。通过特定规则设计的超高密度TCAM结构,可以用能效更高的TCAM搜索操作代替部分传统浮点运算,从而节约整体能耗。仿真实验证明,该文所提结构和运算执行流程,与常规浮点运算单元(FPU)相比,可以降低多达33%的能耗。 With the growing abundance of data-intensive applications,memory wall has become a bottleneck to computing efficiency.A novel Floating Point(FP)computing infrastructure that embeds Ferroelectric Field Effect Transistor(FeFET)based Ternary Content Addressable Memories(TCAMs)for energy efficient computing is proposed.With an ultra-dense TCAM implementation following the designed guidelines,the infrastructure can replace unnecessary Float Point Unit(FPU)executions with more efficient TCAM searching,thereby saving the overall energy consumption.Thanks to the proposed execution flow,the infrastructure can achieve up to 33%energy saving compared to regular FPUs.
作者 张力 高迪 陈烁 卢旭东 庞展曦 陈闯涛 尹勋钊 卓成 ZHANG Li;GAO Di;CHEN Shuo;LU Xudong;PANG Zhanxi;CHEN Chuangtao;YIN Xunzhao;ZHUO Cheng(College of Information Science&Electronics Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310007,China;International Joint Innovation Center,Zhejiang University,Haining 314400,China)
出处 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第6期1518-1524,共7页 Journal of Electronics & Information Technology
基金 国家自然科学基金(61974133,62034007) 浙江省重点研发计划(2020C01052)。
关键词 铁电场效应晶体管 三元内容寻址寄存器 浮点运算 能效 Ferroelectric Field Effect Transistor(FeFET) Ternary Content Addressable Memory(TCAM) Floating-Point(FP)computing Energy-efficiency
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