赛微电子拟在青州投建6-8英寸氮化镓功率器件半导体制造项目

4月1日,赛微电子发布公告称,公司与青州市人民政府签署《合作协议》,共同推进6-8英寸GaN芯片晶圆制造项目的建设,进一步完善GaN业务的全产业链IDM(垂直整合制造)布局。赛微电子表示拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目,总占地面积30亩,一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5,000片/月的生产能力,二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力,将为全球GaN产品客户的旺盛需求提供成熟的技术支持和产能保障。