摘要
设计了一款应用于MCU的宽电流范围全集成LDO,可以满足MCU在不同工作模式下对电源的需求。芯片采用UMC公司的0.11μm CMOS工艺设计,版图面积为0.102mm2。仿真结果表明,在低功耗模式下,LDO的静态功耗只有0.505μA;正常工作模式下,最大负载电流可以到100mA,且具有很好的瞬态响应。
出处
《科学技术创新》
2021年第15期75-77,共3页
Scientific and Technological Innovation
基金
2017年浙江省教育厅科研项目《宽电流范围高效率全集成LDO设计研究》,立项编号:Y201738115。
