鳍式场效应晶体管的有利特性及目前的研究方向

在后摩尔时代,为了满足成本、技术等方面的需求,人们对MOSFET在尺寸方面的要求不断提高,短沟道效应的影响日益显著,为了回避短沟道效应的影响,鳍式场效应晶体管应运而生。文章将从鳍式场效应晶体管的物理特征出发,将其与传统的MOSFET进行对比,阐述其具有的优势,最后简单介绍了鳍式场效应晶体管目前已经公开发表的研究内容与方向。