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基于氧化物半导体的薄膜晶体管稳定性 被引量:1

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摘要 本文对基于氧化物半导体的薄膜晶体管稳定性领域的专利申请进行了统计分析,并对相关专利文献发展路线进行了梳理。
作者 张弓
出处 《电子技术与软件工程》 2021年第10期86-88,共3页 ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING
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