图评

美国密歇根理工大学的研究团队成功地将反铁磁体的特性运用到了互补金属氧化物相容半导体(CMOS)的纳米线中,在未破坏纳米线的半导体性能的基础上提高了数据存储和处理能力。该项研究为开发兼具高数据存储性能和易操作性的智能电子产品提供了可能性。美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校工程学院的研究团队发现了导致钙钛矿型太阳能电池效率受限的主要原因。