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开关功率损耗降低40.5%!东芝成功开发出可大幅降低功率损耗的功率半导体三柵极IGBT
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摘要
开关功率损耗降低40.5%!三栅极IGBT可提高所有电气设备中电源转换器的效率,为实现碳中和做出贡献。♦IGBT中的功率损耗存在一种此消彼长的关系,即:当IGBT导通状态下的功率损耗(以下简称“导通损耗”)降低时,开关损耗便会增加。
作者
无
机构地区
东芝中国
出处
《变频器世界》
2021年第6期44-45,共2页
The World of Inverters
关键词
电源转换器
功率半导体
导通状态
导通损耗
IGBT
电气设备
功率损耗
开关损耗
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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