高性能硅微孔结构光探测器设计及性能研究

文章以制备高性能窄带近红外光电探测器为目的,利用Silvaco TCAD设计并优化了硅微孔/石墨烯肖特基二极管窄带近红外光探测器的结构参数,通过感应耦合等离子体(ICP)刻蚀、湿法转移等工艺方法构建了硅微孔阵列/石墨烯肖特基二极管,研究了肖特基二极管的窄带响应机制和硅微孔陷光结构对近红外响应的影响规律。光电特性表征发现,探测器具有自滤光的窄带近红外响应特性,在1064 nm波长光照射下出现光生电流峰值,-2V偏压下光电流为0.167mA,0V偏压下响应度达到52 mA/W。