ε-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结的能带排列分析

本文利用X射线光电子能谱法(XPS)研究了ε-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结的能带排列(band alignment)。实验所用的样品均采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)制得。通过紫外-可见吸收光谱测量,得到SiC和Ga_(2)O_(3)的光学带隙分别为3.29 eV与4.80 eV。Ga_(2)O_(3)/SiC界面的价带偏移量与导带偏移量分别为0.61 eV和0.9 eV。Ga_(2)O_(3)/SiC异质结表现为Ⅰ型能带排列。